SJ 20756-1999 半导体分立器件结构相似性应用指南
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ID： |
214F939AA27C4A86977119EC736DE000 |
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0.7 |
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14 |
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日期： |
2024-7-28 |
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SJ,中华人民共和国电子行业军用标准,FL5961 SJ 20756—1999,半导体分立器件结构相似性,应用指南,Guideline for application of structrually,similarity of discrete semiconductor devices,19997170 发布1999-12-0I 实施,中华人民共和国信息产业部 批准,目次, 范围 (1),1.1 主题内容 (1),1.2 适用范围. (1),1.3 应用目的. (1),2 引用文件(1),3要求…. (1),3.1 一般要求 (1),3.2 详细要求 (1),4结构相似性在鉴定扩展中的应用.. (2),5结构相似器件判别规则 .. (2),6结构相似器件抽样示例. (4),中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件结构相似性应用指南SJ 20756-1999,Guideline for application of structrually,similarity of discrete semiconductor devices,1范围,1.1 主题内容,本指南为GJB 33A—97 .《半导体分立器件总规范》中结构相似性的应用提供指导。.,1.2 适用范围,本指南适用于结构相似的军用半导体分立器件（以下简称器件）的鉴定（含鉴定扩,展）和质量一致性检验,1.3 应用目的,减少结构相似的器件应经受试验的检验批数量,2引用文件,GJB 33A—97半导体分立器件总规范,3要求,3.1 一般要求,3.1.1 采用本指南必须以不降低产品质量保证水平为前提,并严格执行本指南规定的原,则,3.1.2 作为结构相似器件应满足本指南为各检验分组规定的判别规则,3.1.3 推荐作为结构相似性组合的器件,应在抽样检验之前以文件形式确定各分组所代,表的器件型号、批次和批量（或时效）,报有关主管部门认可后实施。对认证产品应在鉴,定检验之前经鉴定机构认可后实施。上述文件需报标准化机构备案,3.2 详细要求,3. 2.1基本原则,组合在ー起的结构相似器件，对ー个检验分组随机抽取ー组样品的检验结果,对该,组样品所代表的其他型号器件均为有效。即检验合格，则该分组所代表的其他型号器件,均为合格;检验不合格,则该分组所代表的其他型号器件均为不合格,3.2.2自愿原则,符合表1判别规则的结构相似器件是否组合在一起进行检验,由承制方自行决定,承制方有权对结构相似灣件中的部分或全部型号的器件单独抽样进行检验,3.2.3质量控制相同的原则______________________________________________________,中华人民共和国信息产业部1999-11-10发布 !999-12-0I实施,-1 -,SJ 20756—1999,按结构相似性组合在ー起进行检验的器件,必须是在相同生产线上生产的产品,而,且不同型号器件所规定的材料质量要求,生产过程控制和检验要求的严格程度应该基本,相同,3. 2.4从严原则,对可组合在ー起的结构相似器件,进行检验时应遵循从严原则,即从可能有最大失,效风险的器件型号中抽取样品进行检验。例如:按%E分档的晶体管,测量特征频率齐时,应抽取分组内力FE最小的晶体管进行检验;鉴定检验时不同电压系列的器件应抽取具有最,高电压和最低电压的器件进行检验,3. 2.5轮换原则,按324条规定对可能有最大失效风险的器件检验合格以后，对随后提交检验的批和,相继的周期检验,仍应遵循从严原则抽取未进行过检验的型号器件,以保证所有型号器,件的轮换,3. 2.6多型号组合规定,对破坏性试验的各分组在不存在失效风险明显差异的情况下,需要时可从符合结构,相似器件判别规则的不同型号器件中,抽取总数满足抽样方案要求的ー组样品进行某ー,分组的检验。其检验条件和极限值应分别与该型号器件的要求相一致,3. 2.7不一致时的规定,当检验分组的检验内容与GJB 33A的规定不一致时,应参照表1中相同检验内容对,结构相似的要求确定判别规则,3. 2.8其他检验分组的规定,除非另有规定,本指南判别规则中未列出的其他检验分组,就认为这类分组的检验,不能互为代替,应单独抽取样品进行检验,4结构相似性在鉴定扩展中的应用,结构相似性在鉴定扩展中的应用按GJB 33A中4.5.2.5的规定并符合表1的要求,5结构相似器件判别规则,结构相似器件判别规则如表1所示,-2 -,SJ 20756—1999,表1结构相似器件判别规则,适用等级级别检验内容判别要求,全部等级A2 25。￠下的直流（静态）测试相同设计、相同工艺、相同材料要求,并具有相同的试验条件和极限值（由详,.细规范规定）的器件.,A3 在最髙额定工作温度和最低额定,工作温度下的直流（静态）测试,A4 25 ℃下的动态测试,A5 安全工作区（仅对功率晶体管）,或电流降额曲线（仅对整流二极,管或整流器）,A6 浪涌电流,A7 选择的静态和动态测试,E4 热阻,JY B6 热阻,JP、JT、JCT B5 热阻,JY B1 物理尺寸相同的管壳零部件及封装エ艺、相同的,引出端镀涂材料及工艺、相同的标志材,料和打印方法以及相同的管壳镀涂材,料,基本相同的器件后道组装工艺.,B2 可焊性,耐溶剂,JP、JT> JCT B1 可焊性,耐溶剂,全部等级C1 物理尺寸,C4 盐气,JY B3 温度循环（空气一空气）,浪涌,密封,开帽内部直观设计检验,扫描电子显微镜,键合强度,芯片粘附强度,相同生产线、相同的管壳零部件及封装,エ艺、相同的镀涂材料及工艺、标志材,料和打印方法以及……
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